光刻材料中陰離子的測定

光刻工藝是半導體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復制到硅片上，為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的 1/3，耗費時間約占整個硅片工藝的 40～60%。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、檢測等工序。光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設(shè)計的復雜、精密的配方產(chǎn)品，由樹脂、光引發(fā)劑、單體、添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復雜、精密的加工工藝而制成。目前集成電路的集成水平已由原來的微米級水平進入納米級水平，為了匹配集成電路的發(fā)展水平，制備超凈高純試劑的純度也由 SEMI G1 逐漸提升到 SEMI G4 級水平，對雜質(zhì)的檢驗能力要求也相應提高。

（1）陰離子

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流動相：15 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-A-6

進樣體積：100 μL

前處理：稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中，加入 10 mL 去離子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷卻至室溫，提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進樣分析。

色譜測量數(shù)據(jù)

PC 中陰離子譜圖

色譜測量數(shù)據(jù)

PP 中陰離子譜圖

色譜測量數(shù)據(jù)

ABS 中陰離子譜圖

（2）陽離子

分析柱：SH-G-1+SH-CC-3L

流動相：6 mM MSA（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-A-6

進樣體積：100 μL

前處理：稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中，加入 10 mL 去離子水，于 60℃水浴 1 h，取出冷卻至室溫，提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進樣分析。

色譜測量數(shù)據(jù)

PC 中陰離子譜圖

色譜測量數(shù)據(jù)

PP 中陰離子譜圖

色譜測量數(shù)據(jù)

ABS 中陰離子譜圖